平博pinnacle官方网站-Toshiba推出四款650V碳化硅 (SiC) MOSFET

　　日本川崎市--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（以下简称“Toshiba”）推出了四款650V碳化硅 (SiC) MOSFET，搭载其新款[1] 第3代SiC MOSFET芯片，采用紧凑型DFN8x8封装，适用于开关电源和光伏发电调节器等工业设备。这四款设备“TW031V65C”、 “TW054V65C”、“TW092V65C“和“TW123V65C”即日起批量出货。

　　这款新品是首批采用小型贴片DFN8x8封装的第3代SiC MOSFET，与TO-247和TO-247-4L(X)等传统的引线封装相比，体积缩小超过90%，显著提升了设备的功率密度。贴片封装还能使用比引线封装更小的寄生阻抗[2]元件，从而降低开关损耗。DFN8x8采用4引脚[3]封装，支持对门极驱动信号源端进行Kelvin连接，有效减少封装内源极线的电感影响，实现高速开关性能；以型号TW054V65C为例，其开启损耗降低约55%，关断损耗降低约25%[4]，相比Toshiba现有产品[5]，有助于减少设备的功率损耗。

　　Toshiba将持续扩展其产品阵容，助力提升设备能效并增强功率处理能力。

注释：[1] 截至2025年5月。[2] 电阻、电感等。[3] 信号源引脚靠近FET芯片连接的产品。[4] 截至2025年5月，数值由Toshiba测量。详情请参阅Toshiba网站上此版本中的图1。 [5] 采用TO-247封装（无Kelvin连接）的650V第3代SiC MOSFET，等效电压和导通电阻。

Toshiba：650V第3代SiC MOSFET，采用DFN8x8封装